光刻机作为芯片制造的核心装备，被誉为"半导体工业皇冠上的明珠"。这是一种通过光学系统将掩模版上的精密图形投射到硅片上的设备，其精度决定了芯片的制程水平。目前主流的光刻技术分为紫外光刻（UV）、深紫外光刻（DUV）和极紫外光刻（EUV）三大类，其中EUV光刻机能够实现7纳米及以下制程工艺，技术复杂度极高，全球仅ASML公司能够量产。

三年前，ASML公司CEO曾断言"即使公开图纸，中国也造不出EUV光刻机"。如今，中国技术人员以多项突破性成果给出了有力回应。

"羲之"电子束光刻机在浙江大学的实验室里静静运转，0.6纳米的雕刻精度足以在头发丝截面上刻出整座城市地图；与此同时，璞璘科技的纳米压印设备实现了小于10纳米线宽的工艺精度，一举超越日本佳能的同类产品。

这些突破标志着中国在光刻技术领域正通过多技术路线并行研发的策略，打破海外长期技术垄断。

01 多条路线并进，光刻技术突破封锁

中国半导体产业没有局限于攻克单一EUV光刻技术，而是选择了多条技术路线同时推进的战略。

在电子束光刻领域，浙江大学研发的"羲之"电子束光刻机精度达到0.6纳米，线宽8纳米，可通过电子束直接在芯片上刻写电路，无需掩膜版，特别适用于量子芯片的研发。

"羲之"电子束光刻机

在纳米压印领域，璞璘科技交付的国产首台半导体级步进纳米压印光刻系统，实现了线宽<10纳米的工艺精度，在残余层控制（<10纳米）、深宽比（>7:1）等核心指标上超越日本佳能同类产品。

在传统光刻机领域，上海微电子（SMEE）主导的SSX600系列已实现90nm制程，28nm浸没式研发也在进行中。光源系统、物镜组、双工件台等核心环节也都取得了显著进展。

02 核心技术攻坚，产业链协同突破

光刻机作为芯片制造的核心设备，其国产化关乎中国半导体产业链安全。当前国产替代聚焦八大核心环节，逐步构建自主可控能力。

科益虹源已突破40kW激光等离子体（LPP）技术，波长稳定性达±0.1pm；长春光机所、国望光学攻克了NA>1.35浸没物镜，波像差控制趋近0.5nm；华卓精科实现±2nm精度定位的双工件台，打破了ASML垄断。

中科院上海光学精密机械研究所研究员林楠带领的团队已经建立了一个先进的EUV光源实验平台，该平台所达到的技术参数已经处于国际领先水平。

哈尔滨工业大学宣布，国产13.5纳米极紫外光源技术已经正式突破，并计划于2025年第三季度启动国产EUV光刻机原型机试产。

03 差异化竞争策略，开辟新兴应用领域

中国光刻技术发展采取了差异化竞争策略，避开国际巨头领先领域，专注于有潜力的新兴应用市场。

电子束光刻机虽不适合大规模芯片制造，但其超高精度特性在量子芯片、新型半导体研发等领域具有不可替代的优势。"羲之"的0.6纳米精度可精准刻蚀量子比特绝缘势垒层，将良率从30%提升至65%。

纳米压印技术在存储芯片、硅基微显示器、硅光芯片、先进封装等领域展示出独特优势。与传统光刻技术相比，纳米压印可以降低60%的设备投入成本，并降低90%的耗电量。

这种差异化路线使中国半导体产业能够在一些前沿领域实现"换道超车"，为最终实现全面突破争取时间和经验。

04 创新范式转型，从追赶走向引领

中国半导体产业正在经历从"引进消化吸收"到"自主创新+差异化突围"的创新范式转型。

政府通过"两新融合"模式，将企业需求、高校攻关与全流程陪跑相结合，加速成果转化。这种"需求牵引+政府陪跑"的机制使"羲之"研发周期缩短30%，成本降低40%。

企业、高校、研究机构形成了创新联合体，依托重点实验室攻克核心技术专利，构建起"企业出题、高校揭榜、政府陪跑"的协同创新模式。

璞璘科技最令业界震撼的，是其打造的"设备-材料-工艺"铁三角闭环。公司开发了近30种专用纳米压印胶，材料体系完全适配国产设备参数。

05 挑战仍存，未来发展可期

尽管取得了显著进展，中国光刻机产业仍面临诸多挑战。

技术壁垒方面，EUV光源（13.5nm）、超高精度反射镜仍依赖进口；生态短板方面，光刻胶、掩模版等配套材料国产化率不足15%；成本压力方面，国产设备验证周期长，晶圆厂导入意愿需政策激励。

电子束光刻机尽管精度超越国际竞品，但其效率仅为EUV光刻机的1/10。未来需通过多电子束并行扫描、AI算法优化等技术提升量产效率。

当前高纯电子气体、特种硅片等材料仍依赖进口。未来需构建"设备-材料-设计"全链条协同机制，推动产业链整体发展。

国产纳米压印设备交付仅一周后，浙江大学就宣布"羲之"电子束光刻机进入测试阶段。

这种多技术路线并行突破的态势，正在改写全球半导体装备市场的战略格局。从存储芯片、硅光器件到量子芯片，中国正一步步夺回半导体产业发展的主动权。

正如纳米压印团队负责人葛海雄所言："靠仿造永远无法突破！"这些突破背后，是中国科研人员不懈努力的结果，也是中国科技进步的缩影。